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日期:2021-02-17 浏览:

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usdt支付接口(www.caibao.it):金牛年明星产业-第三代半导体质料 应用普遍 投入GaN主要半导体厂商、台系晶圆代工厂

随高频、高压等应用领域蓬勃生长,包罗电动车、绿能、5G基站、雷达侦测及快充等应用快速崛起,第三代半导体质料生长广受瞩目。

第三代半导体质料是以碳化矽及氮化镓为质料主流。相较传统第一、二代质料如矽、砷化镓等,第三代半导体具备高功率、耐高温、高溃逃电压、高电流密度及高频等特征,更能因应电动车、绿能、5G基站、雷达及快充等生长趋势,其中以SiC-on-SiC、GaN-on-SiC、GaN-on-Si最具生长性。

生产半导体晶片的晶圆系由磊晶及基板所组成。就第三代半导体而言,最常见的组合有四:SiC-on-SiC:应用在高压/高功率市场,包罗电动车、高铁、绿电等领域,底下基板是接纳N型SiC。GaN-on-SiC:应用于高频率的通讯元件,包罗雷达站、基地台等,底下基板是接纳SI型SiC。GaN-on-GaN:应用于RF射频领域,但由于GaN基板只能做到2~3吋,因此较不符合成本效益。GaN-on-Si:成本较低,未来可望大量应用于消费型电子市场,如手机和NB快充。

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国际GaN元件供应商除Cree和ROHM等外,主要集中在上游IC设计及IDM厂,可归类为三五族公司,以及功率元件公司等。海内则集中在晶圆代工厂,包罗台积电、稳懋、天下先进、汉磊,以及EPI厂全新、嘉晶、全球晶。

SiC供应链较庞大,分为长晶/晶锭、晶圆加工、磊晶、IC设计及Fab制造。国际大厂以Cree及ROHM结构局限席卷上下游营业最周全。

海内供应商集中wafer加工及EPI,包罗全球晶、全新、嘉晶等,Fad制造为稳懋及汉磊,太极能源子公司-盛新质料结构长晶,生产SI型SiC基板,现在进入产物送样阶段。SiC长晶效率及良率较矽晶圆低许多,一旦乐成想像空间大。

中国也将第三代半导体纳入十四五规画中,可见其重视水平。然短期而言,SiC、GaN等复合质料良率仍在缓慢爬升阶段,成本居高不下,限制其渗透速率。现阶段具SiC、GaN题材、且本业展望优越的公司,包罗全球晶及稳懋、宏捷科、全新。美股则包罗Skyworks、Qorvo、Avago等国际大厂。

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